いわきのＩＧＢＴ用トレーはパンチスルー、ノンパンチのいずれにも適応します
半導体素子のひとつで、ＭＯＳ-ＦＥＴ(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)をベース部に組み込んだバイポーラトランジスタとして電力制御に用いられるＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)。大電力の高速スイッチングを可能にする半導体素子として需要が高まっています。いわきはＩＧＢＴ専用トレーを制作しており、梱包用、輸送用、納品用、保管用、工場工程用、検査用、出荷用など幅広い用途で多くのお客様にご好評頂いています。周知の通り、ＩＧＢＴは、入力段にＭＯＳ-ＦＥＴを、出力段にバイポーラトランジスタを１つの半導体素子上に構成する半導体素子です。電子と正孔の２種類のキャリアを用いているのは、電圧制御型のＭＯＳ-ＦＥＴの欠点である高電圧にともなって高くなるオン抵抗による発熱とバイポーラトランジスタ(Bipolar Junction Transistor:ＢＪＴ)の低いスイッチング速度という欠点をそれぞれ補うためです。こうした構造により、ゲート・エミッタ間の電圧で駆動され、入出力信号によってオン・オフができる自己消弧形であるので大電力の高速スイッチングが可能となります。
インバーターに広く使用されるＩＧＢＴ用トレーを低コストでご提供
電子と正孔の２種類のキャリアを使うバイポーラ素子でありながら、パワーＭＯＳ-ＦＥＴの低オン抵抗に相当する低い飽和電圧と比較的速いスイッチング特性を両立させたトランジスタとしてＩＧＢＴはアプリケーションを拡大しています。大電力インバーターの主変換素子として、UPS (Uninterruptible Power Supply:無停電電源装置)や交流電動機の可変電圧可変周波数制御として鉄道車両やハイブリッドカーなどに採用されています。また、インバーターを用いる家電製品にも広く使われており、エアコンや冷蔵庫、洗濯機、電子レンジ、ＩＨ調理器、照明機器、パワーコンディショナーなどでも、ＩＧＢＴが機能しています。いわきは車載用や家電用インバーターに広く採用されるＩＧＢＴに最適な専用トレーを低コスト・短納期でご提供します。
逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ用トレーもご提案します
ＩＧＢＴはパンチスルー形とノンパンチスルー形に大別されます。パンチスルーは１９８０年代から製造されています。オフ時に空乏層がコレクタ側に接触しており、コレクタ側からキャリアを高濃度注入しライフタイムコントロールする設計となっています。主な特徴としては、エピタキシャルウェハーを使用するためコストが高くなりがちです。また、ライフタイムコントロールのため高温でスイッチング損失が増加します。そして、高温でオン電圧が低下(電気抵抗が低下)し、並列使用時に特定の素子に電流が集中し破損の原因となる事があります。これらの欠点を改善すべく、最近ではウエハー層を薄くし、コレクタ側の注入を抑えた製品も開発されています。一方、ノンパンチスルー形はウエハーを薄く加工し、取り扱う技術の進歩により１９９０年代中ごろから製造されています。オフ時に空乏層がコレクタ側に接触していないタイプで、フローティングゾーンウエハーを使用し、コレクタ側のキャリアの注入濃度を下げ輸送効率を上げる設計となっています。主な特徴としては、フローティングゾーンウエハーを使用するため、エピタキシャルウエハーを使用するパンチスルー形と比べ、コストが低く、結晶欠陥が少なく信頼性が高いといえます。また、高温でオン電圧が上昇(電気抵抗が上昇)し、電流分布が均一となり並列使用に有利となります。２０００年代からはトレンチゲート構造やコレクタ側にフィールドストップ層を形成した、これまで以上にオン電圧が低くスイッチング損失の少ないものも製造されています。いわきのＩＧＢＴ用トレーはパンチスルー形とノンパンチスルー形のいずれにも対応し、製品を確実に保護します。また、いわきは、結晶欠陥密度が高いダイシング側面でのキャリア発生を抑えることによって逆耐圧特性をもたせた逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ用トレーもご提案します。この製品は、素子数の低減によりコストダウンと小型化・軽量化を実現するとともに、オン電圧を半減させる効果があります。交流-直流の直接変換用素子として開発された経緯があり、いわきの専用オリジナルトレーは、メサ型および分離阻止型のいずれにも適応します。
真空成型と金型からの自社一貫生産により低コスト・短納期を実現
いわきは、設計の自由度の高い真空成型技術を活用するとともに、金型からの自社工場一貫生産により、低コストでスピーディーな納品を実現します。また、自社一貫生産の当社であれば、多品種小ロットや試作後のデザイン変更などにも柔軟に対応いたします。安心してご用命ください。成形品のみならず金型のご相談もいつでもお受けします。お問合せ頂ければ、担当スタッフが北海道から沖縄まで全国どこへでも伺います。あわせてお見積りや納品までのスケジュールなどもご案内申し上げます。お電話お待ちしています。
いわきのIGBT用トレーはここがポイント！
大電力の高速スイッチングを可能にする半導体素子として、今後さらなる需要が期待されるＩＧＢＴ。いわきは低価格かつ短納期で高信頼の専用トレーをご提供します。製品のおすすめポイントは次の３つです。
- パンチスルー、ノンパンチスルーの両方に対応した専用トレーです
いわきのＩＧＢＴ用トレーは、エピタキシャルウェハーを使用するパンチスルー形、フローティングゾーンウエハーを使用するノンパンチスルー形の両方に対応します。結晶欠陥密度が高いダイシング側面でのキャリア発生を抑えることによって逆耐圧特性をもたせた逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ用トレーもご提案可能です。ＩＧＢＴのトレーの事なら何でもお申し付け下さい。 - 高精密トレーが電力制御機能および高速スイッチング機能を保護します
いわきの基幹技術である真空成型は、製品形状を材料シートに忠実に再現します。結果、高精密な専用オリジナルトレーがＩＧＢＴを確実に保護し、衝撃や落下にともなう破損リスクを大幅に軽減します。ＩＧＢＴはハイブリッドカーや身近な家電に広く採用されており、その動作性が他の部品以上に問われます。製品の信頼性を確保するためにも、当社の専用オリジナルトレーをぜひご利用ください。 - 金型から国内自社工場で一貫生産により低コスト・短納期を実現します
いわきは金型から成形品に至るまで国内自社工場で一貫生産体制を構築。まずはお見積りで、当社の価格競争力をご実感ください。また、自社生産の当社であれば、スピーディーな納品に加え、試作後のデザイン変更のご要望にも柔軟にお応えします。この安心感こそが、いわきが半世紀にわたってお客様と紡いできた強みです。工業用トレーだけでなく、金型のご相談もいつでもお気軽にお寄せください。
